长鑫 HBM3 时间线与 160 万颗缺口:国产 AI 芯片的最短板是 HBM
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长鑫存储的 HBM 时间线
从多篇行业报道汇总,长鑫在 HBM 上的进度是:
| 节点 | 时间 | 口径 |
|---|---|---|
| HBM3 试产 | 2026 年 9 月初 | 已开始试产 |
| HBM3 小批量量产 | 2026 年底前后 | 月产能目标约 6 万片晶圆 |
| DRAM 总产能 | 2026 年底约 35 万片/月 | 2028 年目标 50 万片/月 |
| HBM4 | 预研阶段 | 尚无量产时间表 |
业内共识:长鑫在 HBM 技术上落后 SK 海力士、三星、美光头部阵营约三到四年。
160 万颗的缺口从哪来
彭博行业研究的调查估算:2026 年中国国产 AI 芯片需求约 420 万颗,供给约 260 万颗——160 万颗的缺口主要受制于 HBM 配给,而非芯片设计或逻辑制程产能。全球 HBM 产能长期集中在 SK 海力士、三星、美光三家,中国本土供应链最薄弱的一环正在这里。
这解释了 Q3 财报季一个普遍现象:寒武纪存货 116.65 亿元(+136%)、摩尔线程 33.63 亿元(+152%)、预付款项普遍翻倍——谁能锁到 HBM,谁就能交付。供给紧张预计持续至少 24 个月,2026-2027 仍是卖方市场。
缓解路径的三条线
代际差异竞争。华为 950PR/DT 采用自研 HiBL/HiZQ 1xnm HBM,910C 用 HBM2e——在 HBM3 供给缺位时,用成熟代际的大容量方案对冲;摩尔线程 S5000 干脆走 80GB GDDR6X 路线避开 HBM 排队。
推理优先的容量策略。寒武纪、昆仑芯的部分产品已能平替 H20 级别小卡,国产卡集中在 Agent 推理与平台调度——推理负载对带宽的敏感度低于训练,可用 HBM2e/HBM3 早批产能覆盖。
上游突围。中芯国际、华虹等内地代工厂陆续提价承接转单,但 HBM 的核心工艺(TSV、堆叠、base die)仍需长鑫按自己的节奏爬坡。
结语
HBM 决定的不只是单卡带宽,而是国产算力 2026-2027 年的总交付量。评估国产芯片方案时,显存类型与带宽只是表象,背后的 HBM 配给能力才是真实产能。本站完整对比表按显存类型与带宽筛分,可快速识别各家在 HBM 约束下的差异化选择。